Stie cineva cum functioneaza un tranzistor?

Principiul de funcționare

În funcționare normală joncțiunea emitor- bază este polarizată direct, iar joncțiunea colector- bază este polarizată invers.
Joncțiunea emitor- bază, fiind polarizată direct, este parcursă de un curent direct(curent de difuzie) IE, mare în raport cu curentul invers (rezidual) și, într-o plajă largă de curenți, UEB  const, cu valori tipice de 0, 6 - 0, 7 V (Si) sau 0, 2 -0, 3V (Ge).
Joncțiunea colector- bază, fiind polarizată invers, este caracterizată de un curent propriu, invers, foarte mic, de ordinul nanoamperilor pentru tranzistoarele de siliciu și de ordinul microamperilor pentru tranzistoarele de germaniu.
Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două joncțiuni. Pentru aceasta trebuie satisfăcute două condiții:
joncțiunea emitorului să fie puternic asimetrică, adică impurificarea emitorului să fie mult mai puternică decât cea a bazei.
baza să fie foarte subțire, astfel încât fluxul de purtători majoritari din emitor să ajungă practic în totalitate în regiunea de trecere a colectorului.

Tranzistorul este un dispozitiv electronic din categoria semiconductoarelor care are trei terminale (borne sau electrozi), care fac legătura la cele trei regiuni ale cristalului semiconductor. Aspectul tranzistoarelor depinde de natura aplicației pentru care sunt destinate.

În funcționare normală joncțiunea emitor- bază este polarizată direct, iar joncțiunea colector- bază este polarizată invers.

Joncțiunea emitor- bază, fiind polarizată direct, este parcursă de un curent direct(curent de difuzie) IE, mare în raport cu curentul invers (rezidual) și, într-o plajă largă de curenți, UEB  const, cu valori tipice de 0, 6 - 0, 7 V (Si) sau 0, 2 -0, 3V (Ge).
Joncțiunea colector- bază, fiind polarizată invers, este caracterizată de un curent propriu, invers, foarte mic, de ordinul nanoamperilor pentru tranzistoarele de siliciu și de ordinul microamperilor pentru tranzistoarele de germaniu.
Caracteristică tranzistorului este cuplarea electrică a celor două joncțiuni. Pentru aceasta trebuie satisfăcute două condiții:

joncțiunea emitorului să fie puternic asimetrică, adică impurificarea emitorului să fie mult mai puternică decât cea a bazei.
baza să fie foarte subţire, astfel încât fluxul de purtători majoritari din emitor să ajungă practic în totalitate în regiunea de trecere a colectorului.
Tranzistorul a fost inventat la Bell Telephone Laboratories din New Jersey în decembrie 1947 de John Bardeen, Walter Houser Brattain, și William Bradford Shockley. Descoperirea tranzistorului a determinat dezvoltarea electronicii fiind considerat una din cele mai mari descoperiri ale erei moderne.

Construcție
Tranzistorii se realizează pe un substrat semiconductor (în general siliciu, mai rar germaniu, dar nu numai). Tehnologia de realizare diferă în funcție de tipul tranzistorului dorit. De exemplu, un tranzistor de tip PNP se realizează pe un substrat de tip P, în care se creează prin diferite metode (difuzie, de exemplu) o zona de tip N, care va constitui baza tranzistorului.

Utilizare
Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice cu componente discrete în amplificatoare de semnal (în domeniul audio, video, radio), amplificatoare de instrumentatie, oscilatoare, modulatoare si demodulatoare, filtre, surse de alimentare liniare sau în comutație sau în circuite integrate, tehnologia de astăzi permițând integrarea într-o singură capsulă a milioane de tranzistori.